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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 如何在保证器件层结构的情况下去除SOI的部分氧化埋层？
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倦书徐行

银虫 (小有名气)

[交流] 如何在保证器件层结构的情况下去除SOI的部分氧化埋层？

如题，我想做的器件要用SOI的器件层作悬臂板，支撑层做悬臂板的保护挡块，所以需要除去中间氧化埋层的一部分。

请问各位虫友有什么好方法吗？我这里的可以用RIE干法刻蚀或者BOE溶液湿法腐蚀，那么在设计了释放孔的情况下用它们是否可行呢？
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1楼 2017-05-11 10:08:46
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
★
倦书徐行(金币+1): 谢谢参与
RIE不太合适，除非你的释放孔之间的间距很小，利用RIE各向同性的性质来侧向的刻蚀。
BOE的话，也要看你的释放孔的口径和间距，还有就是氧化硅的厚度和硅的厚度。因为BOE在某些条件下对硅也有腐蚀。释放后，也会有悬板塌下来的风险，要考虑是否使用液体置换和超临界。
还有就是干法的HF，但是设备很难找。
这个如果不看具体设计，很难说清楚。
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3楼2017-05-11 12:03:54
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倦书徐行

银虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2017-05-11 12:03:54
RIE不太合适，除非你的释放孔之间的间距很小，利用RIE各向同性的性质来侧向的刻蚀。
BOE的话，也要看你的释放孔的口径和间距，还有就是氧化硅的厚度和硅的厚度。因为BOE在某些条件下对硅也有腐蚀。释放后，也会有悬 ...

多谢！我设计的释放孔大小是5umX5um，间距也是5um。正面悬臂板高2000um，背面支撑块高500um。

SOI片子的厚度是器件100um+氧化埋层0.5um+支撑层400um，想去掉中间0.5um的氧化埋层

因为正面已经有电阻和金属引线等结构了，所以准备用光刻胶保护好，从背面开释放孔，然后用BOE刻蚀氧化埋层，请问虫友可行性如何？
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4楼2017-05-11 16:37:39
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