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倦书徐行

银虫 (小有名气)


[交流] 如何在保证器件层结构的情况下去除SOI的部分氧化埋层?

如题,我想做的器件要用SOI的器件层作悬臂板,支撑层做悬臂板的保护挡块,所以需要除去中间氧化埋层的一部分。

请问各位虫友有什么好方法吗?我这里的可以用RIE干法刻蚀或者BOE溶液湿法腐蚀,那么在设计了释放孔的情况下用它们是否可行呢?
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倦书徐行(金币+1): 谢谢参与
RIE不太合适,除非你的释放孔之间的间距很小,利用RIE各向同性的性质来侧向的刻蚀。
BOE的话,也要看你的释放孔的口径和间距,还有就是氧化硅的厚度和硅的厚度。因为BOE在某些条件下对硅也有腐蚀。释放后,也会有悬板塌下来的风险,要考虑是否使用液体置换和超临界。
还有就是干法的HF,但是设备很难找。
这个如果不看具体设计,很难说清楚。
3楼2017-05-11 12:03:54
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倦书徐行

银虫 (小有名气)


引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2017-05-11 12:03:54
RIE不太合适,除非你的释放孔之间的间距很小,利用RIE各向同性的性质来侧向的刻蚀。
BOE的话,也要看你的释放孔的口径和间距,还有就是氧化硅的厚度和硅的厚度。因为BOE在某些条件下对硅也有腐蚀。释放后,也会有悬 ...

多谢!我设计的释放孔大小是5umX5um,间距也是5um。正面悬臂板高2000um,背面支撑块高500um。

SOI片子的厚度是器件100um+氧化埋层0.5um+支撑层400um,想去掉中间0.5um的氧化埋层

因为正面已经有电阻和金属引线等结构了,所以准备用光刻胶保护好,从背面开释放孔,然后用BOE刻蚀氧化埋层,请问虫友可行性如何?
4楼2017-05-11 16:37:39
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dsctg2楼
2017-05-11 10:13   回复  
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nono20095楼
2017-05-12 14:15   回复  
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施家台6楼
2017-05-12 14:26   回复  
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lvluohua8楼
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李慧玲9楼
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chejiacun10楼
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103062354311楼
2017-05-12 15:23   回复  
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