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mylifecg木虫 (正式写手)
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讨论差分电荷密度的计算已有1人参与
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目前学习到的计算电荷密度差有两种计算方法： 1.差分电荷密度: 如果体系有AB两部分组成（比如吸附，异质结），delt_charge=CHGCAR(AB)-CHGCAR(A)-CHGCAR(B),此计算方法要求三个体系的四个输入文件要一致，尤其要求保持K-mesh一致。对于由AB两种元素组成的未掺杂的纯净材料，如果计算差分电荷，该方法是否适用？ 2.二次差分电荷密度： delta_RHO=RHO_sc - RHO_atom,其中RHO_sc位自洽的面电荷密度，RHO_atom为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆砌得到。即为原子电荷密度的叠加（a superposition of atomic charge densities）.这种计算方法分别设置ICHARG=2 和ICHARG=12得到两次电荷密度文件，做差即可。 大家来讨论一下，这两种方法适用的体系（具体情况）以及要说明什么情况的电荷转移？ 另在文献中看到如图解释的VCDD，请教大家，此种差分电荷密度属于上述哪种电荷密度差？  vcdd.png |
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2楼2017-05-05 09:28:29
zhangfrank
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3楼2017-05-05 09:42:51