24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (3034)
>虫友互识 (606)
>休闲灌水 (105)
>基金申请 (91)
>博后之家 (85)
>导师招生 (82)
>论文投稿 (78)
>文献求助 (68)
>教师之家 (44)
>硕博家园 (39)
>考博 (23)
>药学 (19)
>招聘信息布告栏 (13)
>医学 (11)
>公派出国 (10)
>考研 (9)

返回列表

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

mylifecg

木虫 (正式写手)

应助: 39 (小学生)
金币: 5324.5
红花: 13
帖子: 805
在线: 218.9小时
虫号: 1721513
注册: 2012-03-28
性别: MM
专业: 原子和分子物理

[求助] 讨论差分电荷密度的计算已有1人参与

目前学习到的计算电荷密度差有两种计算方法：
1.差分电荷密度: 如果体系有AB两部分组成（比如吸附，异质结），delt_charge=CHGCAR(AB)-CHGCAR(A)-CHGCAR(B),此计算方法要求三个体系的四个输入文件要一致，尤其要求保持K-mesh一致。对于由AB两种元素组成的未掺杂的纯净材料，如果计算差分电荷，该方法是否适用？
2.二次差分电荷密度： delta_RHO=RHO_sc - RHO_atom,其中RHO_sc位自洽的面电荷密度，RHO_atom为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆砌得到。即为原子电荷密度的叠加（a superposition of atomic charge densities）.这种计算方法分别设置ICHARG=2 和ICHARG=12得到两次电荷密度文件，做差即可。
大家来讨论一下，这两种方法适用的体系（具体情况）以及要说明什么情况的电荷转移？
另在文献中看到如图解释的VCDD，请教大家，此种差分电荷密度属于上述哪种电荷密度差？

vcdd.png

回复此楼