| 查看: 1959 | 回复: 5 | ||
[求助]
XPS数据分析 已有1人参与
|
|
如题，材料为SiC单晶晶片，进行了XPS测试。在选用C 1s（284.6 eV）校准XPS数据时遇到了问题。当采用284.6eV校准时，Si-2p光谱中分峰后的结合能都无法与样品对应。 想问一下：必须要用C 1s校准吗？因为我的样品是SiC，因此我觉得C 1s中最强峰是不是对应的是C-Si键啊？文献中报道的C-Si键位置在283.2 eV。因此能不能把不同元素的峰手动移动1.4 eV吗？ 着急，求大神科普！不胜感激。 |
回复此楼» 猜你喜欢
材料模拟计算
已经有0人回复
-
实验室小试和量产线，锂电对辊机的选型逻辑差在哪？
已经有0人回复
-
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有279人回复
-
祈福
已经有222人回复
-
怎么验证真空干燥是否彻底？锂优常用的实验室检测方法
已经有0人回复
-
国防科技大学空天科学学院招聘启事陶瓷基复合材料方向科研助理招聘
已经有859人回复
-
多孔结构的镍基催化剂
已经有7人回复
-
高温炉与管式炉如何选？粉体烧结实验对比
已经有0人回复
-
精准控杂，赋能多孔碳——阜成智能气氛炉成功完成多孔碳钝化杂质探究实验
已经有0人回复
-
求助：成都理工大学 《物理学与现代科技》课件
已经有0人回复
-
圆柱、软包、方形电池卷绕机，设备结构与选型有哪些本质差异
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
hxju
木虫 (小有名气)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 2626.1
- 红花: 14
- 帖子: 246
- 在线: 72.4小时
- 虫号: 710883
- 注册: 2009-02-28
- 专业: 同步辐射技术及其应用
|
对于导电性差，有荷电效应的样品是需要校准的，一般用污染C做内标。SiC不存在荷电效应，不需用校准。另外，SiC中的C不同于污染碳，校准到284.6也是不正确的。 发自小木虫Android客户端 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
2楼2017-04-07 12:25:15
送红花一朵 |
谢谢你的答复。数据是实验员帮忙测的，发给我的时候就已经都把C1s的最强峰校准到284.6了，以至于结合能都对不上。C-Si结合能在282.4ev，我手动调回去试了一下，Si元素的峰也能对上。现在就想问一下我手动调回去对吗？sic中应该C-Si键最强吧，文献里对应282.6，但没说数据是怎么校准的。 发自小木虫IOS客户端 |
3楼2017-04-07 14:01:07
4楼2017-04-07 14:01:42
hxju
木虫 (小有名气)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 2626.1
- 红花: 14
- 帖子: 246
- 在线: 72.4小时
- 虫号: 710883
- 注册: 2009-02-28
- 专业: 同步辐射技术及其应用
5楼2017-04-08 19:59:38
6楼2017-04-09 15:38:07
