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XPS数据分析 已有1人参与
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如题，材料为SiC单晶晶片，进行了XPS测试。在选用C 1s（284.6 eV）校准XPS数据时遇到了问题。当采用284.6eV校准时，Si-2p光谱中分峰后的结合能都无法与样品对应。 想问一下：必须要用C 1s校准吗？因为我的样品是SiC，因此我觉得C 1s中最强峰是不是对应的是C-Si键啊？文献中报道的C-Si键位置在283.2 eV。因此能不能把不同元素的峰手动移动1.4 eV吗？ 着急，求大神科普！不胜感激。 |
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对于导电性差，有荷电效应的样品是需要校准的，一般用污染C做内标。SiC不存在荷电效应，不需用校准。另外，SiC中的C不同于污染碳，校准到284.6也是不正确的。 发自小木虫Android客户端 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
2楼2017-04-07 12:25:15
送红花一朵 |
谢谢你的答复。数据是实验员帮忙测的，发给我的时候就已经都把C1s的最强峰校准到284.6了，以至于结合能都对不上。C-Si结合能在282.4ev，我手动调回去试了一下，Si元素的峰也能对上。现在就想问一下我手动调回去对吗？sic中应该C-Si键最强吧，文献里对应282.6，但没说数据是怎么校准的。 发自小木虫IOS客户端 |
3楼2017-04-07 14:01:07
4楼2017-04-07 14:01:42
hxju
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