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vasp处理带电缺陷的几点疑惑
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最近才开始研究钙钛矿材料的缺陷，学习计算能带态密度，遇到了许多问题。有两个疑问自己想不通，所以想拿出来请教一下各位高手。 1、中性缺陷模型我优化好后，在改变NELECT加电的时候，还需要重新优化么？还是直接用优化好的中性模型，改变NELECT进行静态自洽计算，算能带态密度？ 2、vasp计算缺陷，无论带不带电，需要开自旋极化么？也就是ISPIN=1 or 2？我看了很多文献，他们都没有提这一点，所以我有点不明确 |
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 带电掺杂体系形成能 |
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