| 查看: 8870 | 回复: 1 | ||
[求助]
MOS晶体管IV特性
|
|
首先声明下，自己对MOS晶体管、半导体基础知识都不是很懂。问个自己觉得很简单的问题： NMOS型晶体管的转移特性曲线（Ids-Vgs曲线），在求其阈值电压的时候通常选取Ids=0.1V，选择0.1V的原因是什么呢？ PMOS型晶体管的转移特性曲线（Ids-Vgs曲线），其Vgs、Vth、Vds都为负值，如何判定曲线的某一部分是处于饱和区、线性区、亚阈值区呢？ 附一张PMOS TFT的转移特性曲线（Vth=-4.8V）  转移特性曲线.png |
回复此楼» 猜你喜欢
一志愿中海洋材料工程专硕330分求调剂
已经有3人回复
-
328求调剂，英语六级551，有科研经历
已经有9人回复
-
【同济软件】软件（085405）考研求调剂
已经有3人回复
-
一志愿吉林大学材料学硕321求调剂
已经有4人回复
-
267一志愿南京工业大学0817化工求调剂
已经有7人回复
-
一志愿华中科技大学，080502，354分求调剂
已经有3人回复
-
一志愿中国海洋大学，生物学，301分，求调剂
已经有4人回复
-
一志愿武理材料305分求调剂
已经有6人回复
-
材料专硕英一数二306
已经有3人回复
-
085600材料与化工调剂 324分
已经有7人回复
lijun2952067
新虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 659.4
- 帖子: 81
- 在线: 56.7小时
- 虫号: 953747
- 注册: 2010-02-07
- 性别: GG
- 专业: 其他无机非金属材料
2楼2017-04-09 22:33:25
