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MOS晶体管IV特性
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首先声明下，自己对MOS晶体管、半导体基础知识都不是很懂。问个自己觉得很简单的问题： NMOS型晶体管的转移特性曲线（Ids-Vgs曲线），在求其阈值电压的时候通常选取Ids=0.1V，选择0.1V的原因是什么呢？ PMOS型晶体管的转移特性曲线（Ids-Vgs曲线），其Vgs、Vth、Vds都为负值，如何判定曲线的某一部分是处于饱和区、线性区、亚阈值区呢？ 附一张PMOS TFT的转移特性曲线（Vth=-4.8V）  转移特性曲线.png |
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lijun2952067
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