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朱振博

禁虫 (小有名气)

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庸人自扰灬

金虫 (正式写手)

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掺杂的目的是一个是让基质的晶格结构发生扭曲,产生位错,有利于活性位点的产生;第二是有利于增加载流子浓度,因为相对于本征半导体,掺杂后其载流子浓度要提高很多。但是掺杂的比例有一定的限制,不能太高。具体参考半导体物理学。对于楼主这种情况说实话我也不太清楚,但我又一个疑问,Fe掺杂sic 干嘛,好像没听说过往金属里面掺杂半导体的啊。
9楼2017-03-13 09:14:16
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


【答案】应助回帖

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个人以为,这个区别不是很明显嘛。基体材料和掺杂剂正好相反。
2楼2017-03-12 09:39:28
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朱振博

禁虫 (小有名气)

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3楼2017-03-12 10:03:49
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


引用回帖:
3楼: Originally posted by 朱振博 at 2017-03-12 10:03:49
那么当建立铁基sic超晶胞时,fe是主要的啊。
建立Fe掺杂sic时,sic是主要的。我现在知道后者,该如何把前者构造出来呢?
...

掺杂是掺杂剂原子替代基体材料晶格中的原子。而若碳化硅分子比铁原子的尺寸大很多时能进行掺杂吗?
4楼2017-03-12 10:29:02
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