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原子层沉积制备AZO的工艺调控 已有4人参与
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最近在不同的衬底上用ALD生长AZO的薄膜，想试图通过调整ALD的工艺参数来提升AZO的导电性。 目前对与生长温度、衬底、源的选用、源的脉冲顺序以基脉冲循环比的研究都比较多。 诸位有对ALD脉冲时间对生长的影响比较了解吗？ 大家出来交流一下呀！  |
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