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前田庆次

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
引用回帖:
8楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-03-01 20:40:14
再次请教,关于悬挂键加氢饱和是怎么加呢?手动一个个加么

嗯 手动一个个在MS中加。一般加的位置是在Zn-O键的键长一半位置...

加氢是不是有个按钮可以自动加?
你加真空曾之前要cleave surface吧,要不好像加不了
长枪一横花飘零,松风追月伴我行。无双人间世如梦,倾奇万世永留名。
11楼2017-03-02 09:56:00
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
11楼: Originally posted by 前田庆次 at 2017-03-02 09:56:00
加氢是不是有个按钮可以自动加?
你加真空曾之前要cleave surface吧,要不好像加不了...

我加H都是手动加的,倒是有发现MS有自动加的按钮 没试过,所以不清楚功能具体如何

是的,加真空之前要先切出对应的表面,我在前面的回复说了,要先切表面再加真空;再切另外的一个表面再加真空。
计算顺利点吧
12楼2017-03-02 10:09:04
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盛夏的记忆

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
9楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-03-01 20:40:38
ISPIN=2 开自旋 有下一半...

ISPIN=2应该在哪个选项卡中设置呢?

发自小木虫Android客户端
13楼2017-03-02 19:08:41
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
13楼: Originally posted by 盛夏的记忆 at 2017-03-02 19:08:41
ISPIN=2应该在哪个选项卡中设置呢?
...

opt的INCAR中 就要开始加了
计算顺利点吧
14楼2017-03-02 19:11:18
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盛夏的记忆

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
14楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-03-02 19:11:18
opt的INCAR中 就要开始加了...

你说的是用vasp计算对不  我是用DOML3算的 好像不能这样设置呢

发自小木虫Android客户端
15楼2017-03-02 20:03:24
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

引用回帖:
15楼: Originally posted by 盛夏的记忆 at 2017-03-02 20:03:24
你说的是用vasp计算对不  我是用DOML3算的 好像不能这样设置呢
...

哦 那就不熟悉了抱歉。
计算顺利点吧
16楼2017-03-03 09:35:05
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lisu555

铁杆木虫 (著名写手)

楼主好:您能将相关的英文文献发出来一下吗?谢谢!
17楼2017-03-03 13:41:54
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盛夏的记忆

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
17楼: Originally posted by lisu555 at 2017-03-03 13:41:54
楼主好:您能将相关的英文文献发出来一下吗?谢谢!

Structural, Electronic, and Optical Properties of Ag-Doped ZnO Nanowires: First Principles Studyires: First Principles Study

发自小木虫Android客户端
18楼2017-03-03 17:04:04
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T大仁

木虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 盛夏的记忆 at 2017-03-01 19:20:24
DOS和PDOS

...

请问这个文献是什么?能告诉我一下吗?谢谢!

发自小木虫Android客户端
zZ
19楼2017-03-06 07:23:22
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T大仁

木虫 (正式写手)

我看见了,刚才在7楼就问了。

发自小木虫Android客户端
zZ
20楼2017-03-06 07:25:19
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