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关于泡沫镍上生长石墨烯的超级电容器测试问题 已有6人参与
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用三电极测试，参比电极Hg/HgO，对电极是Pt丝，工作电极是在泡沫镍上生长的石墨烯电极片(1cm×1cm)，活性物质石墨烯的量是8mg，电解液是6 mol/L的KOH溶液，测试电位窗口0.2-0.6V。有几个问题想请教一下： 1. 测试出的CV曲线不是矩形，是因为基底泡沫镍的缘故吗？，那该如何避免泡沫镍的影响呢？   2. 用CV计算的比电容值非常小，只有20-40F/g左右，扫速10mv/s，是测试的原因还是材料本身有问题？ 3. 在CV电压加到0.65V以上时，电极片上就会出现气泡，是电解了水的原因？另外，气泡产生多了之后，长在泡沫镍上的石墨烯会脱落，是因为在泡沫镍表面发生电解水反应，产生的气体将负载的石墨烯挤掉了吗？  4. 单测泡沫镍的CV时，电压稍加高点到0.6V，泡沫镍就立马变黑，是因为生成了氧化镍的缘于吗？该如何避免呢？  5. 每测一次CV，石墨烯的比电容就升高一点，测试了450圈后，由一开始的9F/g变成80F/g了，是泡沫镍的原因还是说石墨烯被活化了？   Ni-gcd-1A/g.png  石墨烯-gcd-1A/g.png  IMG_20170216_183428.jpg  IMG_20170216_183619.jpg |
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【答案】应助回帖
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质量电容低是可以理解的。沉积的石墨烯面积质量太高了，你把质量减小，试试沉积1mg 2mg，算起来绝对要大。另外有氧化还原峰就是泡沫镍的原因。你可以试着把泡沫镍溶解掉，再试试看 发自小木虫IOS客户端 |
40楼2017-02-26 15:46:14
aasahr
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3楼2017-02-23 16:41:47
4楼2017-02-23 16:52:55
