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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 光刻间去胶返工的清洗槽温度和时间？
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绿叶子1990

铁虫 (初入文坛)

[求助] 光刻间去胶返工的清洗槽温度和时间？ 已有2人参与

去年开始半导体工作，现在正在进行新项目，用到正胶，需要对光刻间的晶片进行去胶返工，现在用的去胶液的成分主要是NMP(N-甲基吡咯烷酮，70-80%)，和1,2-丙二醇（20-30%）。我想问的是去胶液所用温度和时间大致是多少啊？因为我从来没做过，没有经验。所以想请教有经验的人来指点迷津。谢谢啦!
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1楼 2017-02-07 14:05:17
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光刻电子

禁虫 (正式写手)
★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
绿叶子1990: 金币+3, ★有帮助 2017-02-17 09:35:14
本帖内容被屏蔽
2楼2017-02-07 15:15:49
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绿叶子1990

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 光刻电子 at 2017-02-07 15:15:49
这个要看你用的是哪款正胶，正胶的类型也有很多种。
其次，去胶本身是一个比较简单的工艺，在半导体工艺里面其实属于设备成本较低的工艺。
主要成本是辅料成本，即CHEMICAL.
关于温度和时间，其实也没有太精确的 ...

我上面用的去胶液写错了，应该是KOH溶液，对光刻间的片子去胶返工。我困惑的是，碱液可以洗掉曝光部分的胶，但是片子上还有没有曝光的部分，用碱液能洗掉吗？需要的时间会很长吧？
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3楼2017-02-17 09:38:55
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地咕噜球

木虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 绿叶子1990 at 2017-02-17 09:38:55
我上面用的去胶液写错了，应该是KOH溶液，对光刻间的片子去胶返工。我困惑的是，碱液可以洗掉曝光部分的胶，但是片子上还有没有曝光的部分，用碱液能洗掉吗？需要的时间会很长吧？...

片子上没曝光的的部分可可以用浓碱液洗掉，10s~20s就可以直接泡掉，但是浓碱液对硅片的伤害很大，如果基底要求高的话就不要用了

可以用丙酮去胶，大概也是10s~20s就可以去掉，一进液体就可以看到泡掉的胶了，自己掌握时间就行

PS：你是要去除胶重新做实验吗？
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4楼2017-04-08 19:24:37
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