| 查看: 1838 | 回复: 3 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
suweian79铁杆木虫 (著名写手)
伟大的幼儿园园丁
|
[交流]
【求助】什么是半导体的带尾效应和布尔斯坦——莫斯效应
|
||
|
什么是半导体的带尾效应和布尔斯坦——莫斯效应？ 谢谢！！ [ Last edited by ddx-k on 2008-12-15 at 20:11 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
能否退出参与的面上项目解除限项
已经有14人回复
-
2026国自然函评费到账
已经有18人回复
-
建议基金发布提前给出明确的时间点
已经有15人回复
-
范进中举一文的中心思想
已经有7人回复
-
朋友圈看到的
已经有9人回复
-
让我中一个面上吧！
已经有16人回复
-
放榜前的不淡定
已经有17人回复
-
科研孤儿太难了
已经有19人回复
-
明天应该可查了！？
已经有4人回复
-
什么时候开奖？
已经有11人回复
wyraul
银虫 (正式写手)
- 应助: 19 (小学生)
- 金币: 11967.7
- 红花: 1
- 帖子: 495
- 在线: 810.3小时
- 虫号: 493423
- 注册: 2008-01-10
- 专业: 半导体材料
★ ★
ddx-k(金币+2,VIP+0):多谢你的信息!
ddx-k(金币+2,VIP+0):多谢你的信息!
|
所谓带尾效应是指半导体中导带和价带并不是向大家所熟悉的那样其边缘是突变的。而在实际半导体中，由于缺陷的形成，掺杂等破坏了理想的晶格周期性，形成一些局域态。从能态密度的分布而言，就是相当于靠近导带底或者价带顶的禁带区域内也有连续的能量状态分布，形式上就是在禁带中存在一个尾巴。也就是带尾。处于带尾态的载流子并不是很好的扩展态，因此其往往导致半导体电学特性的退变。 布尔斯坦-莫斯效应是由于泡利不相容原理引起的。具体是指在重掺杂材料中，由于菲迷能级进入价带或者导带。从而使得导带底（或者价带顶）的能量状态已经被占据。在讨论光跃迁问题时，比如PL测量，出现的带隙变大的现象。 |
2楼2008-12-14 18:04:12
suweian79
铁杆木虫 (著名写手)
伟大的幼儿园园丁
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 8060.6
- 散金: 7
- 红花: 3
- 帖子: 1535
- 在线: 244.6小时
- 虫号: 264897
- 注册: 2006-07-09
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2008-12-14 18:54:53
zhuzhen
木虫 (正式写手)
- 应助: 16 (小学生)
- 金币: 2568.5
- 散金: 5
- 红花: 4
- 帖子: 338
- 在线: 174.1小时
- 虫号: 623421
- 注册: 2008-10-11
- 性别: GG
- 专业: 半导体光电子器件
4楼2008-12-15 09:18:00
20