| 查看: 1695 | 回复: 3 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
suweian79铁杆木虫 (著名写手)
伟大的幼儿园园丁
|
[交流]
【求助】什么是半导体的带尾效应和布尔斯坦——莫斯效应
|
||
|
什么是半导体的带尾效应和布尔斯坦——莫斯效应? 谢谢!! [ Last edited by ddx-k on 2008-12-15 at 20:11 ] |
» 猜你喜欢
调剂310
已经有12人回复
化学0703 调剂 306分 一志愿211
已经有6人回复
26申博自荐
已经有4人回复
化学工程085602 305分求调剂
已经有20人回复
一志愿南昌大学324求调剂
已经有5人回复
289求调剂
已经有3人回复
085601材料工程找调剂
已经有14人回复
一志愿211,335分,0856,求调剂院校和导师
已经有6人回复
334分 一志愿武理 材料求调剂
已经有7人回复
275求调剂
已经有18人回复

wyraul
银虫 (正式写手)
- 应助: 19 (小学生)
- 金币: 11961.2
- 红花: 1
- 帖子: 495
- 在线: 810.3小时
- 虫号: 493423
- 注册: 2008-01-10
- 专业: 半导体材料
★ ★
ddx-k(金币+2,VIP+0):多谢你的信息!
ddx-k(金币+2,VIP+0):多谢你的信息!
|
所谓带尾效应是指半导体中导带和价带并不是向大家所熟悉的那样其边缘是突变的。而在实际半导体中,由于缺陷的形成,掺杂等破坏了理想的晶格周期性,形成一些局域态。从能态密度的分布而言,就是相当于靠近导带底或者价带顶的禁带区域内也有连续的能量状态分布,形式上就是在禁带中存在一个尾巴。也就是带尾。处于带尾态的载流子并不是很好的扩展态,因此其往往导致半导体电学特性的退变。 布尔斯坦-莫斯效应是由于泡利不相容原理引起的。具体是指在重掺杂材料中,由于菲迷能级进入价带或者导带。从而使得导带底(或者价带顶)的能量状态已经被占据。在讨论光跃迁问题时,比如PL测量,出现的带隙变大的现象。 |
2楼2008-12-14 18:04:12
suweian79
铁杆木虫 (著名写手)
伟大的幼儿园园丁
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 8060.6
- 散金: 7
- 红花: 3
- 帖子: 1535
- 在线: 244.6小时
- 虫号: 264897
- 注册: 2006-07-09
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II :电子结构

3楼2008-12-14 18:54:53
4楼2008-12-15 09:18:00














回复此楼