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lin14051至尊木虫 (著名写手)
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求问：SILVACO仿真GaN HEMT微波功率器件的SiC衬底应该如何定义？
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求问：GaN HEMT微波功率器件的SiC衬底应该如何定义？ silvaco仿真HEMT，AlGaN/GaN异质结下是SiC衬底 不加SiC衬底器件仿真正确，加上SiC衬底后Id-Vg曲线就不对了，电流变成1e-18数量级。 感觉应该是漏电问题，因为我们想使用的是半绝缘SiC衬底。 定义SiC衬底的电阻率是3e10μm·cm，仿真出来的还是不对。 那么SiC衬底应该加什么命令语句呢？如何定义成半绝缘的？ |
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能华
新虫 (正式写手)
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