| 查看: 2376 | 回复: 1 | |||
lin14051至尊木虫 (著名写手)
|
[求助]
求问：SILVACO仿真GaN HEMT微波功率器件的SiC衬底应该如何定义？
|
|
求问：GaN HEMT微波功率器件的SiC衬底应该如何定义？ silvaco仿真HEMT，AlGaN/GaN异质结下是SiC衬底 不加SiC衬底器件仿真正确，加上SiC衬底后Id-Vg曲线就不对了，电流变成1e-18数量级。 感觉应该是漏电问题，因为我们想使用的是半绝缘SiC衬底。 定义SiC衬底的电阻率是3e10μm·cm，仿真出来的还是不对。 那么SiC衬底应该加什么命令语句呢？如何定义成半绝缘的？ |
回复此楼» 猜你喜欢
国社科又开始会评了，不知道这次命运如何
已经有13人回复
-
麻烦专家们看看评委们的意见（F口面上）
已经有13人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有6人回复
-
科研人应该花精力去思考如何解决问题，而不是去凝练问题
已经有14人回复
-
要骂人了，新模版改版就是要淡化问题凝练这种虚的东西，结果有个评委还在说凝练得不够
已经有17人回复
-
基金系统什么内容也没有
已经有10人回复
-
学科评审组评审是指会评吗？
已经有5人回复
-
面上函评意见出来了，像什么等级？
已经有17人回复
-
小白求助 投论文要求的highlights应该如何写
已经有4人回复
能华
新虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 4251.6
- 散金: 1232
- 红花: 1
- 帖子: 846
- 在线: 11.3小时
- 虫号: 6178092
- 注册: 2017-03-28
- 专业: 半导体电子器件
2楼2017-03-28 23:22:18