| 查看: 2346 | 回复: 1 | ||
lin14051至尊木虫 (著名写手)
|
[求助]
求问：SILVACO仿真GaN HEMT微波功率器件的SiC衬底应该如何定义？
|
|
求问：GaN HEMT微波功率器件的SiC衬底应该如何定义？ silvaco仿真HEMT，AlGaN/GaN异质结下是SiC衬底 不加SiC衬底器件仿真正确，加上SiC衬底后Id-Vg曲线就不对了，电流变成1e-18数量级。 感觉应该是漏电问题，因为我们想使用的是半绝缘SiC衬底。 定义SiC衬底的电阻率是3e10μm·cm，仿真出来的还是不对。 那么SiC衬底应该加什么命令语句呢？如何定义成半绝缘的？ |
回复此楼» 猜你喜欢
面上再次挂了，太难了，躺也躺不了，倦也卷不过，小学校之殇！
已经有27人回复
-
8月时间戳变的，举个手。玩一下，释放压力
已经有4人回复
-
UV压敏胶开发
已经有6人回复
-
有没有H口的？有收到消息的吗？
已经有3人回复
-
十年后又回来了，论文投稿求助
已经有3人回复
-
纯娱乐，不喜欢勿喷
已经有10人回复
-
面上提前没消息，有中的吗
已经有18人回复
-
娱乐
已经有4人回复
-
系统今天又提示维护了，估计离放榜不远了
已经有16人回复
-
一个有机合成实验室都需要哪些设备？
已经有10人回复
能华
新虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 4251.6
- 散金: 1232
- 红花: 1
- 帖子: 846
- 在线: 11.3小时
- 虫号: 6178092
- 注册: 2017-03-28
- 专业: 半导体电子器件
2楼2017-03-28 23:22:18