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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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maike01

金虫 (正式写手)

[交流] 【交流】 发光材料研究

想请教一下大家,对于传统的半导体材料光致发光的研究一般是个什么模式啊?
肯定要表征PL谱,然后应该有带隙,可以通过紫外可见来表征,还有能带,可以通过结构计算出来吧,但是最后能带,带隙这些是怎么和发光联系起来的呢,比较麻烦吧。我查了一些文献,觉得还是没有头绪。

不知道大家有没有比较经典一点的这方面的文章介绍一下,十分感谢!
我的邮箱是nishb07@lzu.cn,求大家指点!

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-15 at 20:12 ]
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maike01

金虫 (正式写手)

如果用能带来解释发光的话是不是只要知道能级之间的差值就可以了啊?如果导带,价带,还有杂质能级都能够表示出来,是不是理论上来讲就应该和PL的结果对应了啊?
也就是在不同能量处对应有不同的发光啊。或者是和紫外-可见的吸收对应啊?
3楼2008-12-13 16:07:16
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tingyee

金虫 (小有名气)

★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):很不错!谢谢参与
ddx-k(金币+1,VIP+0):多多交流!
我们先考虑直接带隙的带间跃迁,那么你的发光光谱的位置是和你的材料的带隙一致的,直接跃迁没有声子作用,效率更高,而在间接带隙情况下,声子参与发光过程。效率底
这是带隙之间的跃迁了,还有材料不是靠带间跃迁来发光的,而是靠缺陷。那么缺陷发光和带隙没有之间的关系了,其和缺陷在能带中的位置,缺陷类型等等的有关系了
2楼2008-12-13 10:29:00
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