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maike01

金虫 (正式写手)

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专业: 无机非金属基复合材料

[交流] 【交流】发光材料研究

想请教一下大家，对于传统的半导体材料光致发光的研究一般是个什么模式啊？
肯定要表征PL谱，然后应该有带隙，可以通过紫外可见来表征，还有能带，可以通过结构计算出来吧，但是最后能带，带隙这些是怎么和发光联系起来的呢，比较麻烦吧。我查了一些文献，觉得还是没有头绪。

不知道大家有没有比较经典一点的这方面的文章介绍一下，十分感谢！
我的邮箱是nishb07@lzu.cn，求大家指点！

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-15 at 20:12 ]

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1楼 2008-12-12 21:34:26

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tingyee

金虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
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性别: GG
专业: 半导体光电子器件

★ ★
ddx-k(金币+1,VIP+0):很不错！谢谢参与
ddx-k(金币+1,VIP+0):多多交流！

我们先考虑直接带隙的带间跃迁，那么你的发光光谱的位置是和你的材料的带隙一致的，直接跃迁没有声子作用，效率更高，而在间接带隙情况下，声子参与发光过程。效率底
这是带隙之间的跃迁了，还有材料不是靠带间跃迁来发光的，而是靠缺陷。那么缺陷发光和带隙没有之间的关系了，其和缺陷在能带中的位置，缺陷类型等等的有关系了