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192837465主管区长
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[求助]
磁控溅射靶基距的调整 已有4人参与
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在一本书上看见溅射过程中，靶基距和粒子的平均自由程有关，本底真空度会影响自由程的大小。所以靶基距也算是一个工艺参数。但是一般人们普遍更关心溅射功率啊，溅射压强啊，衬底加热温度等等，是不是靶基距这个参数和前面几个相比，不是那么敏感的一个参数？ 靶基距在薄膜的生长过程中，会在哪些方面产生影响？ 如果靶基距超过或者低于自由程，会使得薄膜产生什么变化？ 悉听各位朋友的见解，有任何想法都可以回复～ 谢谢各位朋友，向大家学习！ 发自小木虫IOS客户端 |
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 薄膜材料和器件制备 |
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8楼2017-01-07 14:17:08
hs_77
主管区长
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2楼2017-01-06 08:53:23
3楼2017-01-06 14:45:27
Friend007 
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【答案】应助回帖
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1平均自由程与压强有关 与靶基距无关。 2.靶基距对薄膜沉积速率影响很大，应该是二次方的反比关系。 3.靶基距大于或小于平均自由程的影响。平均自由程可以理解为溅射出的粒子到达基片前与其他粒子碰撞的概率。靶基距越小，碰撞概率越小，被溅射出的粒子到达基片时能量越高。在基片上的活动(如迁移)更剧烈。 4.靶基距越大，膜厚越均匀。 5.一些常见的靶基距参数，小型磁控溅射镀膜机5-8cm，中型8-12cm，大型如镀膜玻璃生产线20-30cm。 发自小木虫Android客户端 |
4楼2017-01-06 20:32:07
