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192837465新虫 (小有名气)
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磁控溅射靶基距的调整 已有4人参与
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在一本书上看见溅射过程中，靶基距和粒子的平均自由程有关，本底真空度会影响自由程的大小。所以靶基距也算是一个工艺参数。但是一般人们普遍更关心溅射功率啊，溅射压强啊，衬底加热温度等等，是不是靶基距这个参数和前面几个相比，不是那么敏感的一个参数？ 靶基距在薄膜的生长过程中，会在哪些方面产生影响？ 如果靶基距超过或者低于自由程，会使得薄膜产生什么变化？ 悉听各位朋友的见解，有任何想法都可以回复～ 谢谢各位朋友，向大家学习！ 发自小木虫IOS客户端 |
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 薄膜材料和器件制备 |
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192837465
新虫 (小有名气)
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是的，我也知道您那个意思，其他参数不变，平均自由程当然不会受靶基距的改变而发生变化。 可能表达上的理解上有歧义，我意思是指，“靶基距可调”这个设计的初衷是什么？ 既然平均自由程已经有腔体的尺度，那么靶基距的调节幅度显然不能和平均自由程相比（调和不调，自由程都已经超过靶基距，溅射原子都能溅射到衬底上，而且能量在平均自由程内可以看成统计意义上的无损失） 如果不那么重要，当初设计者为什么设计这个仪器的靶基距可调？为什么不把靶基距设计成固定值？ 如果我是仪器的设计者，明知道“靶基距小于自由程”这个条件，通过改变靶基距基本无法改变，我觉得我可能找不到此时还要把仪器的靶基距设计成可调的理由。 因为我们的仪器是离轴的，不是对轴的。靶基距的调节，会不会使辉羽接触衬底的方式不同？比如90度离轴磁控溅射，靶基距如果短一些，辉羽可能都碰不到衬底…我想会不会问题出在这里？ 您认为呢？感觉您非常厉害，悉听您的理解！ 发自小木虫IOS客户端 |
5楼2017-01-07 10:14:51
hs_77
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2楼2017-01-06 08:53:23
3楼2017-01-06 14:45:27
【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
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1平均自由程与压强有关 与靶基距无关。 2.靶基距对薄膜沉积速率影响很大，应该是二次方的反比关系。 3.靶基距大于或小于平均自由程的影响。平均自由程可以理解为溅射出的粒子到达基片前与其他粒子碰撞的概率。靶基距越小，碰撞概率越小，被溅射出的粒子到达基片时能量越高。在基片上的活动(如迁移)更剧烈。 4.靶基距越大，膜厚越均匀。 5.一些常见的靶基距参数，小型磁控溅射镀膜机5-8cm，中型8-12cm，大型如镀膜玻璃生产线20-30cm。 发自小木虫Android客户端 |
4楼2017-01-06 20:32:07
