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Cr做掩膜，koh刻蚀硅片，求助做过的各位 已有1人参与
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用Cr做掩蔽层，氢氧化钾加异丙醇刻蚀硅片（刻蚀200um），溅射镀的铬，在水浴80℃下，刻蚀一个小时铬，铬就碎了，铬破碎是什么原因？（我镀铬的时候，没有清洗，买回来直接就溅射镀膜机镀铬了） 还有，我想用koh溶液在硅片上刻蚀1cm x 1cm面积的窗口，深度达到200μm，硅片晶向<100>，理论上可能行吗？ |
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