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Cr做掩膜,koh刻蚀硅片,求助做过的各位 已有1人参与
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用Cr做掩蔽层,氢氧化钾加异丙醇刻蚀硅片(刻蚀200um),溅射镀的铬,在水浴80℃下,刻蚀一个小时铬,铬就碎了,铬破碎是什么原因?(我镀铬的时候,没有清洗,买回来直接就溅射镀膜机镀铬了) 还有,我想用koh溶液在硅片上刻蚀1cm x 1cm面积的窗口,深度达到200μm,硅片晶向<100>,理论上可能行吗? |
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kangye_1989
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