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求问大神，薄膜晶体管的输出特性曲线饱和区先饱和后下降是怎么回事？ 已有3人参与
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求问大神，薄膜晶体管的输出特性曲线饱和区先饱和后下降是怎么回事？ 基底是热硅，SiO2为300nm，有源层是IGZO-30/40nm 栅极为Si 源漏是Al。 最好能给分析或者指点一下，想搞明白这些原理。谢谢 第一次用小木虫，金币也不知有多少，设置个1试试看。  222.png  1111.png |
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