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求助一道半导体物理的题目，急
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求助一道半导体物理的题目： 硅单晶作衬底制成MOS二极管，铝电极面积A＝1.6×10-7m2。在150℃下进行负温度－偏压和正温度－偏压处理，测得C-V曲线如图中a、b所示。已知硅和铝的功函数分别为Ws=4.3eV，Wm=4.2eV，硅的相对介电常数为3.9。说明AB段是积累、耗尽还是反型状态，衬底硅是n型还是p型。 另外，能不能给解释一下什么是MOS管的“负温度－偏压和正温度－偏压处理”？ 多谢！  IMG_1546.JPG |
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