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xishuai0602

新虫 (初入文坛)

[求助] 求助一道半导体物理的题目,急

求助一道半导体物理的题目:

硅单晶作衬底制成MOS二极管,铝电极面积A=1.6×10-7m2。在150℃下进行负温度-偏压和正温度-偏压处理,测得C-V曲线如图中a、b所示。已知硅和铝的功函数分别为Ws=4.3eV,Wm=4.2eV,硅的相对介电常数为3.9。说明AB段是积累、耗尽还是反型状态,衬底硅是n型还是p型。

另外,能不能给解释一下什么是MOS管的“负温度-偏压和正温度-偏压处理”?
多谢!

求助一道半导体物理的题目,急
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xishuai0602

新虫 (初入文坛)

2楼2016-11-28 19:15:51
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