| 查看: 590 | 回复: 1 | ||
[求助]
求助一道半导体物理的题目，急
|
|
求助一道半导体物理的题目： 硅单晶作衬底制成MOS二极管，铝电极面积A＝1.6×10-7m2。在150℃下进行负温度－偏压和正温度－偏压处理，测得C-V曲线如图中a、b所示。已知硅和铝的功函数分别为Ws=4.3eV，Wm=4.2eV，硅的相对介电常数为3.9。说明AB段是积累、耗尽还是反型状态，衬底硅是n型还是p型。 另外，能不能给解释一下什么是MOS管的“负温度－偏压和正温度－偏压处理”？ 多谢！  IMG_1546.JPG |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O54,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有6人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有4人回复
-
售SCI文章，我:8O.5.5.1O.54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有6人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.55.1.O.54,科目齐全,可伽急
已经有4人回复
2楼2016-11-28 19:15:51
