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cos60

木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】半导体缺陷离化能计算公式的问题

【求助】最近用VASP计算半导体中缺陷的离化能,查到文献中有如下公式

施主杂质离化能公式见图,
第一项和第二项的意义本人已经清楚,是指带点超胞和不带电超胞的总能。从第三项开始,就不明白了。请高手指教。


文献里说,第三项和第四项是特殊k点(平均)和gamma点的缺陷能级,第五项是host supercell 在gamma-point的CBM的能量。

我的问题是第三、四、五项在VASP总能计算中,具体如何得到。物理意义究竟是什么?

谢谢您。

公式来自文献
PRL 98, 135506 (2007)

[ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 22:02 ]
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cbFeng200881

金虫 (著名写手)


wuli8(金币+1,VIP+0):"平安贴奖"!祝您节日快乐! 2-26 17:47
n-type doping Eq.(1)
p-type doping Eq.(2)

phys. stat. sol. (b) 245, No. 4, 641–652 (2008)
References 15~22
7楼2009-02-24 14:59:52
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cos60

木虫 (著名写手)

没有做这类工作的兄弟姐妹么?
有谁明白?谢谢您
2楼2008-12-01 14:20:03
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cos60

木虫 (著名写手)

小弟在此恭候高手的回答
3楼2008-12-01 22:49:57
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cos60

木虫 (著名写手)

真的没人会吗?我等到花儿也谢了...
只好从文献引用的源头查起了... 看看能不能找到源头,谁让咱搞从头算呢,文献也得从头查。
4楼2008-12-02 20:28:23
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