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【求助】半导体缺陷离化能计算公式的问题
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【求助】最近用VASP计算半导体中缺陷的离化能，查到文献中有如下公式 施主杂质离化能公式见图， 第一项和第二项的意义本人已经清楚，是指带点超胞和不带电超胞的总能。从第三项开始，就不明白了。请高手指教。 文献里说，第三项和第四项是特殊k点（平均）和gamma点的缺陷能级，第五项是host supercell 在gamma-point的CBM的能量。 我的问题是第三、四、五项在VASP总能计算中，具体如何得到。物理意义究竟是什么？ 谢谢您。 公式来自文献 PRL 98, 135506 (2007) [ Last edited by wuchenwf on 2009-6-22 at 22:02 ] |
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 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 | 杂七杂八 |
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