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enjoyharry

铜虫 (初入文坛)

[求助] 带电缺陷的形成能中的E_VBM该如何获得? 已有1人参与

最近在算缺陷的形成能,可最后做的图(形成能为因变量,费米能为自变量)就是没有交点,查了一下要取core level(远离缺陷位置原子的芯能级),请问哪位大神能给我详细的说说用QE该如何计算?   非常感谢!带电缺陷的形成能中的E_VBM该如何获得?
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带电掺杂体系形成能 带电体系形成能

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guaiguaizhxd

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

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感谢参与,应助指数 +1
蛋蛋小童鞋: 金币+2, 谢谢参与,小木虫鼓励积极回答问题者 2016-10-28 15:35:03
enjoyharry: 金币+33, ★★★很有帮助, 谢谢您的答复! 2016-10-30 10:59:43
也可以用local potential来对齐,不过大致思路都是利用无缺陷晶胞中VBM来修正能量。具体可以参考C.G. Van de Walle, J. Neugebauer, First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides, J. Appl. Phys., 95 (2004) 3851-3879.
FiatLux
2楼2016-10-28 14:03:48
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enjoyharry

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by guaiguaizhxd at 2016-10-28 14:03:48
也可以用local potential来对齐,不过大致思路都是利用无缺陷晶胞中VBM来修正能量。具体可以参考C.G. Van de Walle, J. Neugebauer, First-principles calculations for defects and impurities: Applications to I ...

谢谢前辈,这篇文献刚下载了。那前辈知道这里的core level该如何读取吗?
3楼2016-10-28 14:37:52
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guaiguaizhxd

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

我用的是vasp,主要用local potential来对齐。不过,据我所知,core level和赝势有关,如果你选择的赝势含有的话,才可以。
FiatLux
4楼2016-10-31 20:28:19
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