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enjoyharry铜虫 (初入文坛)
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带电缺陷的形成能中的E_VBM该如何获得？ 已有1人参与
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最近在算缺陷的形成能，可最后做的图（形成能为因变量，费米能为自变量）就是没有交点，查了一下要取core level（远离缺陷位置原子的芯能级），请问哪位大神能给我详细的说说用QE该如何计算？ 非常感谢！ 1.jpg |
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2016-10-28 12:03:05, 66.25 K
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 带电掺杂体系形成能 | 带电体系形成能 |
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| 也可以用local potential来对齐，不过大致思路都是利用无缺陷晶胞中VBM来修正能量。具体可以参考C.G. Van de Walle, J. Neugebauer, First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides, J. Appl. Phys., 95 (2004) 3851-3879. |
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