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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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ibs208

[交流] 【求助】关于测电容

有没有哪位使用 LCR meter 测过电容,哪位大虾讲解下
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nigo

金虫 (著名写手)

★ ★
ibs208(金币+2,VIP+0):谢谢 还希望有人用 LCR meter 测过电容的 提点提点
用过CV测量仪. CV测量的基本原理是测量肖特基结(或pn结)两侧的电荷随着外加偏压的变化关系, 电容就是dQ/dV. CV测量中最重要的是根据实际情况选择测量模式(并列或者串联). 关于CV测量技术, 推荐陈治明编写的<<半导体器件的材料物理学基础>>.
2楼2008-12-05 13:41:18
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zbs

金虫 (小有名气)

一些电容测量方法及其ATE实现
对于ATE而言,较为简单易行的电容测量方法是恒流放(充)电,或是恒压充(放)电的方法:
IIS-MHLh:f 1. 恒流放电_b[(dY.S\
因为Q = C*V = I*T,所以C = I*T/V。用ATE的driver将电容充到某一电压后,关断driver,利用可编程的Isink为电容放电,通过comparator比较,多次search获取时间。4|8]+v$oB0J:V
2. 恒压充电(RC时间常数法)
2W'~{o7C)zS 在电容上串联一个电阻到driver(也可只利用driver的输出电阻,视情况而定),在某一时刻driver给出一个电压上升;在被测电容与电阻的连接点用另一通道search电容上的电压变化,取得时间常数并计算C。\&HA3Fv3TA P
以上两种做法的优点是在ATE上简单易行--两者都只需用到ATE上常规的数字通道,以及基于search的时间测量功能;另外可以测从几十pF到几百uF的大范围的容值。缺点是精度有限,往往须做校正,比如,RC法的实际计算式为C = A*1/R*T + B,这里A与B分别是对直线的斜率与零位偏移的校正,其中A需用标准电容校正,B可以用开路校正。F*A xKGy
此外在设计测试参数时可以做一些简单的理论计算,比如对于恒流放电法有,$|!M4M#Aw1}e P+^:w
dC = T/V * dI + I/V * dT - I*T/V^2 * dV
w P.o"U tXA | dC | < T/V * dI + I/V *  dT + I*T/V^2 * dV = C/I * dI + C/T * dT + C/V * dV| wz|jf
在ATE上,一般上式第三项比前两项要小些。在V一定的情况下,前两项的IT相互关联,在此基础上可以进一步计算出I与T之间的一个最佳平衡点,使得C的误差较小。
!Ug)sh0g ufyS m
c(yy tM[c 除了上述方法之外,另有一些交流方法,比如自动平衡(auto-balancing)法。
By#r"K)~E
n,{)r0n P/H3p c 这是一个通用的低频交流小信号测量阻抗的方法,优点是精度高,更可排除并联电容的影响。一些低端的LCR meter中用单运放实现了这样的自动平衡电桥,而高端的LCR meter则要复杂得多(可参见US patent #6956380,应用于Agilent的一些LCR meter中)。"EF CI3MX"vN2O
在ATE上的一般的电容测量,可用单运放实现电路(实际上高端LCR meter中的那堆东西也不是一般人随便能搭出来的)。不过对于测容值过大的电容,因为运放输入电容太大将导致极点向低频方向移动,从而限制了AC频率(为保证运放响应的线性,AC频率更是远低于极点频率)。另外,AWG发生的信号中不可避免的有高次谐波,其在极点附近可能使运放输出端电压峰峰值偏离预期,这种情况下可利用ATE的FFT或DFT功能仅获得AC频率上的电压幅度,排除其它频率上的干扰。
pEjxI3D*@6H(N
参考:http://bbs.dicder.com/archiver/index.php?tid-2718.html
3楼2009-02-24 13:35:03
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