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求教关于Si(硅)原子和晶体中能级/势阱和价带的理解，请各位多多发表意见，谢谢！
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各位虫友好： 最近看一本电路基础方面的英文书中对Si原子能级/势阱/能带的示意图如2个附图所示。由于自己的基础理论比较渣，所以想请教一下几个问题，还请各位热心网友不吝指教。先在此谢谢各位了。  1.图1-7的单Si原子的势阱示意图中，是不是电子都只是局限于漏斗状区域中（该区域又若干能级线和点状的电子），为什么？ 开口朝下的抛物线内空白区域是是否没有电子？ 我个人理解的单原子中，电子分布区域应该是以原子核为中心的球壳，球壳的半径不同代表了不同的能级，因此不能理解此图。 2.能请各位帮忙描述一下平面图1-7和1-9，在三维空间中应该是什么形状和结构的？  Fig1-7.PNG  Fig1-9.PNG |
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