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关于石墨烯狄拉克点问题
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完美的单层石墨烯的狄拉克点电压（Vdirac）应该=0，即电子和空穴浓度相等，在Vg=0V时候的态密度等于0 但是实际上收到impurites、 defect 、disorder等的影响，石墨烯通常是p-doping。 所以我们扫描背栅（以SiO2为例子）时候，通常狄拉克点电压>0V 比如10V、30V甚至还有一些在70--80V（说明，石墨烯被重度p型掺杂了） 问题来了 ----------------- 有时候我们扫描到100度伏，还是没有找到石墨烯的狄拉克点 但是，我们再制备一个顶栅（以30nmHfO2为例），通常扫描顶栅，发现可能顶栅电压还没到10V就找到石墨烯的狄拉克点了 这是为什么呢？ 即使背栅能找到狄拉克点，其背栅和顶栅的狄拉克点电压也不一样，通常是顶栅比背栅小很多。可以看到，石墨烯对顶栅的敏感性比背栅敏感很多 这是为什么呢？？两个狄拉克点还不一样 欢迎大家来发言，交流  360截图20160929221606170.jpg [ Last edited by lcqsc on 2016-10-9 at 21:18 ] |
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2楼2016-09-29 22:33:24
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3楼2016-09-29 22:36:53
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