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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 氮化硅薄膜与氧化硅有较好的接触需多少温度退火
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kissren

银虫 (初入文坛)

[求助] 氮化硅薄膜与氧化硅有较好的接触需多少温度退火 已有2人参与

氮化硅薄膜与氧化硅有较好的接触需多少温度退火
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1楼 2016-08-29 12:24:07
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kangye_1989

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你的生长温度是多少，比生长温度低一些就可以吧
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2楼2016-08-29 12:40:37
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阿法埃莎无机

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
氮化硅和氧化硅应该不会有很好的结合，因为晶体结构类型不一样，晶胞常数差异，在界面会因应力造成晶格扭曲，形成很多结构缺陷
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3楼2016-08-29 13:35:55
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kissren

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by kangye_1989 at 2016-08-29 12:40:37
你的生长温度是多少，比生长温度低一些就可以吧

是用电子束室温做的
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4楼2016-08-29 14:50:40
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