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happinesslyl新虫 (小有名气)
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计算缺陷形成能时完美晶格价带顶Ev(perfect)的计算
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计算带电缺陷形成能时，公式中有一项完整晶体价带顶的能量：E(VBM) 这个量如何算，请高手们鉴定一下以下两种方法哪个正确 1.计算完整晶体的能带结构，找到对应价带最大的k-point,然后在EIGENVAL里面找到对应此k-point 的最大占据态的能量（个人从小木虫上了解到的观点，不知理解是否正确） 2.用公式EVBM(perfect)=E(perfect,0)-E(perfect,+1) E(perfect,+1)指带电为+1的完整晶格的总能 （ref: T.Tanaka,et al.Phys.Rev.B68(2002)205213) 求大神帮忙！！！！ |
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 带电掺杂体系形成能 |
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