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happinesslyl新虫 (小有名气)
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[求助]
关于缺陷形成能价带顶的计算 已有1人参与
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根据文献 可以得到 Ef=Etot(defect,q)-Etot(perfect)-∑nu+q(Ef+Ev+V) 其中Ev是完美晶体价带顶能量EVBM. 如文献所说Ev=E(perfect,0)-E(perfect,+1)，其中0和+1为完美超胞所带电荷 请问 这里面的+1是不是就是缺陷体系带的电荷q，例如，如果计算q=-1的形成能，则Ev= E(perfect,0)-E(perfect,-1)？还是不论缺陷体系带电量为多少，完美晶格的EVBM都是 Ev=E(perfect,0)-E(perfect,+1)？？完美晶格的EVBM不是应该固定的嘛，为什么会和q有关系？文献没看懂向大家求助！ 或者有其他简单的计算？(例如从完美超胞的能带中直接读价带顶？可是无论castep和vasp的能带的价带顶都是以fermi能级为基准，那么对于半导体读出的值大多为0。） 到底该怎么算Ev呢？ 还请大神帮帮忙啊！ 非常感谢！！！   发自小木虫Android客户端 |
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 带电掺杂体系形成能 |
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