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happinesslyl

新虫 (小有名气)

[求助] 关于缺陷形成能价带顶的计算 已有1人参与

根据文献 可以得到
Ef=Etot(defect,q)-Etot(perfect)-∑nu+q(Ef+Ev+V)
其中Ev是完美晶体价带顶能量EVBM.
如文献所说Ev=E(perfect,0)-E(perfect,+1),其中0和+1为完美超胞所带电荷

请问 这里面的+1是不是就是缺陷体系带的电荷q,例如,如果计算q=-1的形成能,则Ev= E(perfect,0)-E(perfect,-1)?还是不论缺陷体系带电量为多少,完美晶格的EVBM都是 Ev=E(perfect,0)-E(perfect,+1)??完美晶格的EVBM不是应该固定的嘛,为什么会和q有关系?文献没看懂向大家求助!
或者有其他简单的计算?(例如从完美超胞的能带中直接读价带顶?可是无论castep和vasp的能带的价带顶都是以fermi能级为基准,那么对于半导体读出的值大多为0。)
到底该怎么算Ev呢?
还请大神帮帮忙啊!
非常感谢!!!

关于缺陷形成能价带顶的计算


关于缺陷形成能价带顶的计算-1


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zym765319199

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by happinesslyl at 2016-08-14 11:22:50
我明白了

你也做形成能的计算?

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5楼2016-08-14 12:16:15
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happinesslyl

新虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by happinesslyl at 2016-08-14 12:22:04
是的,请问你知道Ev的正确算法吗?
...

PRB 68, 205213, 2002

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9楼2016-08-17 22:04:47
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happinesslyl

新虫 (小有名气)

2楼2016-08-14 11:22:50
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漫天飘雪

版主 (知名作家)

认真做事,踏实做人

引用回帖:
2楼: Originally posted by happinesslyl at 2016-08-14 11:22:50
我明白了

希望楼主能简单讲解一下
http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
3楼2016-08-14 11:26:02
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happinesslyl

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 漫天飘雪 at 2016-08-14 11:26:02
希望楼主能简单讲解一下...

按照公式算就可以了吧,完美晶格的价带顶应该是不变的,与q无关。是我自己理解的,不知道对不对,一起交流

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4楼2016-08-14 12:01:36
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happinesslyl

新虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by zym765319199 at 2016-08-14 12:16:15
你也做形成能的计算?
...

是的,请问你知道Ev的正确算法吗?

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6楼2016-08-14 12:22:04
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Feynmanux

至尊木虫 (文坛精英)

引用回帖:
2楼: Originally posted by happinesslyl at 2016-08-14 11:22:50
我明白了

lz,贴的这个文献来自哪里,给个索引吧。非常感谢。
7楼2016-08-17 16:38:07
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Feynmanux

至尊木虫 (文坛精英)

lz,给出文献索引咯。。非常感谢。。
8楼2016-08-17 16:39:19
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happinesslyl

新虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by Feynmanux at 2016-08-17 16:39:19
lz,给出文献索引咯。。非常感谢。。

PRB 68, 205213, 2002

发自小木虫Android客户端
10楼2016-08-17 22:06:05
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