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1329142627

铁虫 (初入文坛)

[求助] 硅电池钝化问题:ALD氧化铝后做PECVD的氮化硅如何去除表面气泡

有人做过类似的背面钝化吗,是不是存在气泡?ALD后试过600C烧结还会存在气泡,退火的话时间比较长会对前场造成很大影响......
有硅电池方向的可以起来讨论下啊
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月光也是光

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
6楼: Originally posted by 1329142627 at 2016-08-28 10:07:50
激光怎么退火,应该会有损伤吧...

不会的,这个技术已经很成熟了
要,就要出足够的尊敬!
7楼2016-08-29 11:30:10
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城里的乡下人

木虫 (正式写手)


1329142627(明亮的眼眸代发): 金币+1, 谢谢回帖交流,欢迎常来工艺技术版! 2016-08-30 19:11:06
没做过,我的个人理解是,你应该在前期合成过程中,变化条件,少生成气泡
而不是,气泡已经形成了,再在后段工序来去除气泡
城里的乡下人
2楼2016-08-08 16:55:56
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1329142627

铁虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 城里的乡下人 at 2016-08-08 16:55:56
没做过,我的个人理解是,你应该在前期合成过程中,变化条件,少生成气泡
而不是,气泡已经形成了,再在后段工序来去除气泡

做完ALD暂时看不出来表面气泡,叠完SiNx才会有。文献上也很少提到这方面的,看来得试试不同退火条件了
4楼2016-08-10 13:20:32
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月光也是光

铜虫 (小有名气)


1329142627(明亮的眼眸代发): 金币+1, 谢谢回帖交流,欢迎常来工艺技术版! 2016-08-30 19:11:19
不知是否可以用激光来退火?
要,就要出足够的尊敬!
5楼2016-08-26 11:24:41
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