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同济冯少

新虫 (初入文坛)

[求助] 二硫化钼比电容高达3500F/g,自己实在忐忑,把GCD图贴出来供大家指导。已有3人参与

最近在做二硫化钼,GCD测试发现一个完整的充放电过程要接近2400秒,比电容高达3500F/g,自己实在忐忑,把GCD图贴出来供大家指导。自己是新虫,几乎没金币,抱歉了,各位!感觉结果不可信,但重复了三次都是这样。。。。跪求大神指导。

二硫化钼比电容高达3500F/g,自己实在忐忑,把GCD图贴出来供大家指导。
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我就是自己的太阳,无需借别人的光
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同济冯少

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by dililafter at 2016-08-06 21:38:07
要是数据明显不可靠的话,需要再重新做一遍。有时候会因为材料或者电解液等实验体系本身的改变造成异样。

我自己内心是觉得不可靠的,但重复了三次,最差的容量都要2000,最高的都3000多,实在找不到其他原因。空白的泡沫镍集流体我也测过了,然后同门的材料和我的一起做,性能都不好;然后我也解释不了哪里出错,
我就是自己的太阳,无需借别人的光
7楼2016-08-07 13:20:13
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yongtengqian

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
电流密度的设置在充放电测试过程中有很大关系!
2楼2016-08-06 11:05:50
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同济冯少

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yongtengqian at 2016-08-06 11:05:50
电流密度的设置在充放电测试过程中有很大关系!

这已经是1A/g的参数了
我就是自己的太阳,无需借别人的光
3楼2016-08-06 20:50:18
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dililafter

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
要是数据明显不可靠的话,需要再重新做一遍。有时候会因为材料或者电解液等实验体系本身的改变造成异样。
4楼2016-08-06 21:38:07
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