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同济冯少

新虫 (初入文坛)

[求助] 二硫化钼比电容高达3500F/g,自己实在忐忑，把GCD图贴出来供大家指导。 已有3人参与

最近在做二硫化钼，GCD测试发现一个完整的充放电过程要接近2400秒，比电容高达3500F/g,自己实在忐忑，把GCD图贴出来供大家指导。自己是新虫，几乎没金币，抱歉了，各位！感觉结果不可信，但重复了三次都是这样。。。。跪求大神指导。

二硫化钼比电容高达3500F/g,自己实在忐忑，把GCD图贴出来供大家指导。
S60805-21450850.jpg
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我就是自己的太阳，无需借别人的光
1楼 2016-08-05 22:02:07
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同济冯少

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by dililafter at 2016-08-06 21:38:07
要是数据明显不可靠的话，需要再重新做一遍。有时候会因为材料或者电解液等实验体系本身的改变造成异样。

我自己内心是觉得不可靠的，但重复了三次，最差的容量都要2000，最高的都3000多，实在找不到其他原因。空白的泡沫镍集流体我也测过了，然后同门的材料和我的一起做，性能都不好；然后我也解释不了哪里出错，
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我就是自己的太阳，无需借别人的光
7楼2016-08-07 13:20:13
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yongtengqian

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
电流密度的设置在充放电测试过程中有很大关系！
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2楼2016-08-06 11:05:50
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同济冯少

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yongtengqian at 2016-08-06 11:05:50
电流密度的设置在充放电测试过程中有很大关系！

这已经是1A/g的参数了
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我就是自己的太阳，无需借别人的光
3楼2016-08-06 20:50:18
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dililafter

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
要是数据明显不可靠的话，需要再重新做一遍。有时候会因为材料或者电解液等实验体系本身的改变造成异样。
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4楼2016-08-06 21:38:07
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