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用HBr气体刻蚀Si波导，用ZEP520A做掩膜。刻蚀完有残留物
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尊敬的各位老师、同行你们好！ 如题所述，我们在用ZEP520A电子胶做掩膜用ICP（HBr气体）刻蚀SOI片时，出现了一些不明物，附着在Si的侧壁上。无论采用超声还是浓硫酸+双氧水的方式都去不掉，看电镜发现是一层较亮的物质，说明导电性较好，不知诸位有啥好的意见或者建议吗？ 上传的图片是刚刻蚀完还没去胶的SEM，去胶的没来得及拍，Si侧壁的东西在去胶前后都是存在的。  29221F41475F1947106E90A453201183.jpg |
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