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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 用HBr气体刻蚀Si波导，用ZEP520A做掩膜。刻蚀完有残留物
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孤子游侠

银虫 (小有名气)

[求助] 用HBr气体刻蚀Si波导，用ZEP520A做掩膜。刻蚀完有残留物

尊敬的各位老师、同行你们好！
      如题所述，我们在用ZEP520A电子胶做掩膜用ICP（HBr气体）刻蚀SOI片时，出现了一些不明物，附着在Si的侧壁上。无论采用超声还是浓硫酸+双氧水的方式都去不掉，看电镜发现是一层较亮的物质，说明导电性较好，不知诸位有啥好的意见或者建议吗？

上传的图片是刚刻蚀完还没去胶的SEM，去胶的没来得及拍，Si侧壁的东西在去胶前后都是存在的。

用HBr气体刻蚀Si波导，用ZEP520A做掩膜。刻蚀完有残留物
29221F41475F1947106E90A453201183.jpg
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为奋斗而来
1楼 2016-08-03 15:35:25
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wjx513513

铜虫 (小有名气)
图片中，你指的哪一个是不明物

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2楼2016-08-04 15:12:08
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蜗牛不懈怠

新虫 (初入文坛)
楼主问题得到解决了么，求回复

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3楼2017-04-11 16:13:59
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