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vaspkit编译问题 已有1人参与
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大家好，最近看到一篇文章（vasp计算的），文章里面的，带有空位的二氧化铈表面的三价Ce位置。文章当中写的是为了验证O电子的位置，算了spin density，然后就能得到三价铈的位置一个其他吸附O2的电子的位置（文章里面的figure3和figure4），请问大家这是怎么得到的呢？是用vaspkit后处理得到的吗？可是我不会编译 ，希望大神能来解答，感谢大家！make.inc文件里面的信息 #Fortran Compiler and Options FC=ifort FFLAGS= -g -O2 -static-intel #FFLAGS=-g-O2 #C Compiler and Options #CC= icc CFLAGS=-g -O2 MAKE = make AR = ar 应该改哪个呢？望解答，在线等，十分感谢。 |
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2016-07-28 15:38:48, 549.83 K
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