| 查看: 961 | 回复: 2 | ||
[求助]
vaspkit编译问题 已有1人参与
|
大家好，最近看到一篇文章（vasp计算的），文章里面的，带有空位的二氧化铈表面的三价Ce位置。文章当中写的是为了验证O电子的位置，算了spin density，然后就能得到三价铈的位置一个其他吸附O2的电子的位置（文章里面的figure3和figure4），请问大家这是怎么得到的呢？是用vaspkit后处理得到的吗？可是我不会编译 ，希望大神能来解答，感谢大家！make.inc文件里面的信息 #Fortran Compiler and Options FC=ifort FFLAGS= -g -O2 -static-intel #FFLAGS=-g-O2 #C Compiler and Options #CC= icc CFLAGS=-g -O2 MAKE = make AR = ar 应该改哪个呢？望解答，在线等，十分感谢。 |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Superoxide_and_Peroxide_Species_on_CeO2(111),_and_Their_Oxidation_Roles.pdf
2016-07-28 15:38:48, 549.83 K
» 猜你喜欢
081700 调剂 267分
已经有8人回复
-
请教下大家 2026年国家基金申请是双盲审吗？
已经有5人回复
-
276求调剂。有半年电池和半年高分子实习经历
已经有10人回复
-
一志愿南航材料专317分求调剂
已经有4人回复
-
求调剂
已经有4人回复
-
生物学学硕求调剂
已经有5人回复
-
284求调剂
已经有10人回复
-
一志愿山东大学药学学硕求调剂
已经有4人回复
-
07化学280分求调剂
已经有4人回复
-
298-一志愿中国农业大学-求调剂
已经有12人回复
2楼2016-07-28 15:59:26
|
本帖内容被屏蔽 |
3楼2016-07-28 19:37:39
40