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毛毛虫_

银虫 (小有名气)

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[求助] vaspkit编译问题已有1人参与

大家好，最近看到一篇文章（vasp计算的），文章里面的，带有空位的二氧化铈表面的三价Ce位置。文章当中写的是为了验证O电子的位置，算了spin density，然后就能得到三价铈的位置一个其他吸附O2的电子的位置（文章里面的figure3和figure4），请问大家这是怎么得到的呢？是用vaspkit后处理得到的吗？可是我不会编译

，希望大神能来解答，感谢大家！
make.inc文件里面的信息
#Fortran Compiler and Options
FC=ifort
FFLAGS= -g -O2 -static-intel
#FFLAGS=-g-O2
#C Compiler and Options
#CC= icc
CFLAGS=-g -O2

MAKE = make
AR = ar
应该改哪个呢？望解答，在线等，十分感谢。

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附件 1 : Superoxide_and_Peroxide_Species_on_CeO2(111),_and_Their_Oxidation_Roles.pdf

2016-07-28 15:38:48, 549.83 K