| 查看: 1042 | 回复: 2 | ||
[求助]
vaspkit编译问题 已有1人参与
|
大家好，最近看到一篇文章（vasp计算的），文章里面的，带有空位的二氧化铈表面的三价Ce位置。文章当中写的是为了验证O电子的位置，算了spin density，然后就能得到三价铈的位置一个其他吸附O2的电子的位置（文章里面的figure3和figure4），请问大家这是怎么得到的呢？是用vaspkit后处理得到的吗？可是我不会编译 ，希望大神能来解答，感谢大家！make.inc文件里面的信息 #Fortran Compiler and Options FC=ifort FFLAGS= -g -O2 -static-intel #FFLAGS=-g-O2 #C Compiler and Options #CC= icc CFLAGS=-g -O2 MAKE = make AR = ar 应该改哪个呢？望解答，在线等，十分感谢。 |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Superoxide_and_Peroxide_Species_on_CeO2(111),_and_Their_Oxidation_Roles.pdf
2016-07-28 15:38:48, 549.83 K
» 猜你喜欢
梦想
已经有7人回复
-
学科评审组评审是指会评吗？
已经有4人回复
-
面上合作单位盖章
已经有8人回复
-
面上函评意见出来了，像什么等级？
已经有15人回复
-
为什么资助数各大高校都创新高，自己申请怎么就这么难
已经有14人回复
-
小白求助 投论文要求的highlights应该如何写
已经有4人回复
-
麻烦专家们看看评委们的意见（F口面上）
已经有12人回复
-
怎么看青基中了没有啊
已经有6人回复
-
国社科又开始会评了，不知道这次命运如何
已经有11人回复
-
有多少人是今天查系统知道结果的？
已经有19人回复
2楼2016-07-28 15:59:26
|
本帖内容被屏蔽 |
3楼2016-07-28 19:37:39
20
投票:
