| 查看: 5279 | 回复: 10 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
ielts_toefl木虫 (小有名气)
|
[求助]
有追赏-温度升高使本征半导体的激发加剧，为什么费米能级不变？ 已有1人参与
|
|
| 温度升高使本征半导体的激发加剧，为什么费米能级仍然位于禁带中的正中间的位置，为什么不能是禁带中的偏上位置(近导带)，为什么不能是禁带中的偏上位置(近价带)？ 换一个问法，为什么 处于1K的本征半导体 和 处于100K的本征半导体的 费米能级都在禁带的正中间 刚刚好 不上一点也不下一点？ |
回复此楼» 猜你喜欢
各位大神，目前国内有哪些比较好用的逆合成软件？
已经有14人回复
-
国社科系统bug了，是不是要放榜了？
已经有10人回复
-
现代”学阀”该如何界定
已经有9人回复
-
课题组招2027级博士 上海工程技术大学 激光智能制造方向
已经有4人回复
-
上海工程技术大学 激光智能制造课题组 2027级博士研究生招生
已经有3人回复
-
上海工程技术大学激光智能制造课题组｜2027级博士研究生招生公告
已经有11人回复
-
申博发邮件
已经有11人回复
-
我的奶奶
已经有3人回复
ielts_toefl
木虫 (小有名气)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 2031.1
- 散金: 50
- 红花: 1
- 帖子: 130
- 在线: 121.2小时
- 虫号: 4553346
- 注册: 2016-03-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体光电子器件
送红花一朵 7楼2016-07-17 13:05:22
2楼2016-07-16 08:22:58
ielts_toefl
木虫 (小有名气)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 2031.1
- 散金: 50
- 红花: 1
- 帖子: 130
- 在线: 121.2小时
- 虫号: 4553346
- 注册: 2016-03-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体光电子器件
3楼2016-07-16 22:24:11
yeqiu1990
木虫 (小有名气)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 1698.5
- 散金: 140
- 红花: 2
- 帖子: 205
- 在线: 108.1小时
- 虫号: 1366241
- 注册: 2011-08-11
- 性别: GG
- 专业: 固体无机化学
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
ielts_toefl: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢，你说的非常非常非常的好，从固体物理、半导体物理书上摘图也很辛苦。 2016-07-17 12:49:16
感谢参与，应助指数 +1
ielts_toefl: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢，你说的非常非常非常的好，从固体物理、半导体物理书上摘图也很辛苦。 2016-07-17 12:49:16
|
首先应该明确一点费米能级是从金属中的自由电子而来，定义为在0k时自由电子所填充的最高能量的位置。亦即电子占据的最高能级就是费米能级。 但是推广到半导体与绝缘体中就有些许的变化了。在半导体理论中，费米能级由费米分布函数（即电子态被电子占据的概率）决定。如下图1公式所示，由公式可以发现T=0K时（图2），高于Ef的占据概率为1，低于Ef的占据概率为0，于是费米能级就界定了电子态是否被占据，高于Ef的为空，低于Ef的全被占据（！！！但不能像金属中说成是最高占据态就是费米能级）。那么Ef具体到底在什么位置呢？当T大于0K时（图3），我们可以清晰的看到答案：费米能级是电子占据概率为1/2的能级！！！这个结论虽然是在大于0K时得到，但定义其在0K时也成立，由此可以推出0K时Ef位于禁带中间位置（因为0K价带（顶）全满，占据概率为1；导带（底）为空，占据概率为0，自然1/2占据概率处位于二者中间）。当T大于0K时，由于本征激发而产生出了电子-空穴对，但由于导带中增加的电子数等于价带中减少的电子数，则禁带中央的能级仍然是占据几率为50%，所以本征半导体的Fermi能级的位置不随温度而变化，始终位于禁带中央（参考图3中给的插图3-3）。  图1  图2  图3 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
4楼2016-07-17 10:12:51