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ielts_toefl

木虫 (小有名气)

[求助] 有追赏-温度升高使本征半导体的激发加剧,为什么费米能级不变? 已有1人参与

温度升高使本征半导体的激发加剧,为什么费米能级仍然位于禁带中的正中间的位置,为什么不能是禁带中的偏上位置(近导带),为什么不能是禁带中的偏上位置(近价带)?   换一个问法,为什么 处于1K的本征半导体  和 处于100K的本征半导体的 费米能级都在禁带的正中间 刚刚好 不上一点也不下一点?
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伽鲁特

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
ielts_toefl: 金币+5, ★★★★★最佳答案, 非常感谢伽鲁特 2016-07-19 09:10:46
同学,我觉得你善于思考是好事,但我觉得你看书不细致,这个问题书上明明是有写的,本征费米能级并不是固定在禁带二分之一处,它会随温度变化而变化,不同材料也不一样,只是说si恰好是在非常接近禁带二分之一处的位置,如图
有追赏-温度升高使本征半导体的激发加剧,为什么费米能级不变?



发自小木虫IOS客户端
9楼2016-07-17 23:51:46
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ielts_toefl

木虫 (小有名气)

引用回帖:
9楼: Originally posted by 伽鲁特 at 2016-07-17 23:51:46
同学,我觉得你善于思考是好事,但我觉得你看书不细致,这个问题书上明明是有写的,本征费米能级并不是固定在禁带二分之一处,它会随温度变化而变化,不同材料也不一样,只是说si恰好是在非常接近禁带二分之一处的位 ...

我是在课件PPT上看到的 恰好在1/2之处,P型则下移,N型则上移。。。。我擦,,轻信PPT害死人啊 ! 谢谢你。。。。
10楼2016-07-18 10:58:46
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普通回帖

ZHD1993

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
1楼: Originally posted by ielts_toefl at 2016-07-15 14:56:10
温度升高使本征半导体的激发加剧,为什么费米能级仍然位于禁带中的正中间的位置,为什么不能是禁带中的偏上位置(近导带),为什么不能是禁带中的偏上位置(近价带)?   换一个问法,为什么 处于1K的本征半导体  和 处 ...

要再看一下费米能的定义,它是平均能分布。

发自小木虫Android客户端
2楼2016-07-16 08:22:58
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ielts_toefl

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by ZHD1993 at 2016-07-16 08:22:58
要再看一下费米能的定义,它是平均能分布。
...

对体系施加升温,体系的分子的电子的热激发加剧,平均能量就该升高啊,,我哪里理解错了?? ? 谢谢!
3楼2016-07-16 22:24:11
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yeqiu1990

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
ielts_toefl: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢,你说的非常非常非常的好,从固体物理、半导体物理书上摘图也很辛苦。 2016-07-17 12:49:16
首先应该明确一点费米能级是从金属中的自由电子而来,定义为在0k时自由电子所填充的最高能量的位置。亦即电子占据的最高能级就是费米能级。
但是推广到半导体与绝缘体中就有些许的变化了。在半导体理论中,费米能级由费米分布函数(即电子态被电子占据的概率)决定。如下图1公式所示,由公式可以发现T=0K时(图2),高于Ef的占据概率为1,低于Ef的占据概率为0,于是费米能级就界定了电子态是否被占据,高于Ef的为空,低于Ef的全被占据(!!!但不能像金属中说成是最高占据态就是费米能级)。那么Ef具体到底在什么位置呢?当T大于0K时(图3),我们可以清晰的看到答案:费米能级是电子占据概率为1/2的能级!!!这个结论虽然是在大于0K时得到,但定义其在0K时也成立,由此可以推出0K时Ef位于禁带中间位置(因为0K价带(顶)全满,占据概率为1;导带(底)为空,占据概率为0,自然1/2占据概率处位于二者中间)。当T大于0K时,由于本征激发而产生出了电子-空穴对,但由于导带中增加的电子数等于价带中减少的电子数,则禁带中央的能级仍然是占据几率为50%,所以本征半导体的Fermi能级的位置不随温度而变化,始终位于禁带中央(参考图3中给的插图3-3)。
有追赏-温度升高使本征半导体的激发加剧,为什么费米能级不变?-1
图1


有追赏-温度升高使本征半导体的激发加剧,为什么费米能级不变?-2
图2


有追赏-温度升高使本征半导体的激发加剧,为什么费米能级不变?-3
图3

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

好好搞科研
4楼2016-07-17 10:12:51
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yeqiu1990

木虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yeqiu1990 at 2016-07-17 10:12:51
首先应该明确一点费米能级是从金属中的自由电子而来,定义为在0k时自由电子所填充的最高能量的位置。亦即电子占据的最高能级就是费米能级。
但是推广到半导体与绝缘体中就有些许的变化了。在半导体理论中,费米能级 ...

第三行打错了:”高于Ef的占据概率为1,低于Ef的占据概率为0”说反了,应为“高于Ef的占据概率为0,低于Ef的占据概率为1”
好好搞科研
5楼2016-07-17 10:15:51
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ielts_toefl

木虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yeqiu1990 at 2016-07-17 10:12:51
首先应该明确一点费米能级是从金属中的自由电子而来,定义为在0k时自由电子所填充的最高能量的位置。亦即电子占据的最高能级就是费米能级。
但是推广到半导体与绝缘体中就有些许的变化了。在半导体理论中,费米能级 ...

我表示非常感谢,虽然你说的非常非常非常的好,从固体物理、半导体物理书上摘图也十分的辛苦,而且你前后内容很有条理,但是,我对于其中的一个知识的逻辑,还心存疑问:从图1费米函数定义式f(E)=(公式太长,略)可知,Ef是费米分布函数(电子占据概率)=1/2,下面根据温度T分情况讨论,你讲了T=0K时,Ef在导带和价带的正中间(这点我认可),当T不再等于0,T>0时(即有本征激发而产生出了电子-空穴对,导带中增加的电子数等于价带中减少的电子数,我也认可这点),我想不明白怎么就由“由于导带中增加的电子数等于价带中减少的电子数”  推得→ “则禁带中央的能级仍然是占据几率为50%”?送你一朵小红花...
6楼2016-07-17 13:04:37
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ielts_toefl

木虫 (小有名气)

送红花一朵
引用回帖:
4楼: Originally posted by yeqiu1990 at 2016-07-17 10:12:51
首先应该明确一点费米能级是从金属中的自由电子而来,定义为在0k时自由电子所填充的最高能量的位置。亦即电子占据的最高能级就是费米能级。
但是推广到半导体与绝缘体中就有些许的变化了。在半导体理论中,费米能级 ...

送你一朵小红花
7楼2016-07-17 13:05:22
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ielts_toefl

木虫 (小有名气)

内容已删除
8楼2016-07-17 13:34:01
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