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关于用PL测试半导体材料禁带宽度的问题
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请问下大家一个问题： 半导体的禁带宽度可以通过PL测量 如果被测的半导体薄膜里面还有另一个杂相 通过PL测试的峰对应的禁带宽度是综合考虑半导体材料和杂相两种物质的；还是会在pl谱图中分别出现半导体材料本身的峰和杂相的峰呢？ |
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