| 查看: 403 | 回复: 1 | |||
[交流]
晶体在富含特定元素下生长的模拟方法
|
| 第一性原理缺陷计算中，常常有比较不同缺陷的稳定性差异，以热电材料PbTe点缺陷为例，为了比较哪种缺陷类型比较稳定，需要模拟富含Pb的晶体生长环境与富含Te的晶体生长环境，富含物不同一般稳定存在的缺陷也不同，下面的文章是G.J.Snyder课题组研究PbTe缺陷，文中分别对Pb-rich与Te-rich两种情况进行了讨论，假设一个晶体化学式为AB,请教如何从计算角度模拟这种elementA-rich，elementB-rich 等体系，从而开展进一步的计算。 |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Bajaj_ActaMater_2015.pdf
2016-06-28 10:58:13, 571.12 K
» 猜你喜欢
材料292调剂
已经有6人回复
-
材料与化工考研调剂
已经有6人回复
-
0703化学调剂，求导师收
已经有3人回复
-
生物学学硕求调剂
已经有6人回复
-
305分求调剂（食品工程）
已经有7人回复
-
299求调剂
已经有6人回复
-
085404电子信息284分求调剂
已经有4人回复
-
收08调剂生
已经有3人回复
-
081700 调剂 267分
已经有9人回复
-
293求调剂
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
 |
2楼2016-06-28 11:07:26
