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晶体在富含特定元素下生长的模拟方法
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| 第一性原理缺陷计算中，常常有比较不同缺陷的稳定性差异，以热电材料PbTe点缺陷为例，为了比较哪种缺陷类型比较稳定，需要模拟富含Pb的晶体生长环境与富含Te的晶体生长环境，富含物不同一般稳定存在的缺陷也不同，下面的文章是G.J.Snyder课题组研究PbTe缺陷，文中分别对Pb-rich与Te-rich两种情况进行了讨论，假设一个晶体化学式为AB,请教如何从计算角度模拟这种elementA-rich，elementB-rich 等体系，从而开展进一步的计算。 |
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2016-06-28 10:58:13, 571.12 K
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