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tcheng92

金虫 (小有名气)

[求助] 关于Ga2O3晶体GGA+U计算问题 已有2人参与

本人初次尝试使用GGA+U的方法试图计算Ga2O3的能带及态密度,由于之前用GGA—PBE计算得到的能带约为2eV明显低于实验值4.9eV,因此想使用+U的方法得到更加准确的带隙,但是经过尝试计算得到的带隙值并没有变大反而还变成了1.5eV左右,求助各位师兄师姐老师,我是哪里计算出错了吗,我把GGA+U计算能带时使用的INCAR和POSCAR,KPOINTS都传到下面,POTCAR就是在赝势库中的PAW_PBE,另外贴上我的能带计算结果。

关于Ga2O3晶体GGA+U计算问题
bands_GGA+U.JPG
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  • 2016-06-24 13:57:09, 681 bytes
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tcheng92

金虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by liutaifeng at 2016-06-25 16:44:08
GGA+U 计算Ga2O3的带隙变化确实不很大,我们计算时候用的杂化泛函方法,可以计算和实验值很接近

谢谢您,我也在尝试用hse进行相关的计算
7楼2016-06-27 08:52:02
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tcheng92

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 雷克萨斯哈哈 at 2016-06-24 16:26:06
帮顶吧

谢谢
3楼2016-06-24 17:42:22
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
tcheng92: 金币+10, ★★★很有帮助 2016-06-27 08:40:10
tcheng92: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2016-06-27 08:40:56
慎用LDA+U计算d壳层是满的元素。

首先你选用的未把d电子考虑成价电子的paw势,所以你的U可能是加在s电子或p电子,如果不是加在这两个轨道上的,那你的计算就是有问题的。

另外加U,U值的选择,很是要小心。不能取个随意的值,然后来把计算值与实验值相比。

在用LDA+U之前,先分析清楚LDA或PBE的结果,了解价带和导带的成份,特别是价带顶和导带底的,掌握是什么轨道的能级位置没有被合理地预测出,然后考虑对此轨道施加U。

对GaO3这类化合物,非强关联体系,改善带隙预测,采用hybrid泛函或modified Becke-Johnson地metaGGA会比用LDA+U更合适。
4楼2016-06-25 09:00:00
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liutaifeng

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
tcheng92: 金币+5, 有帮助 2016-06-27 08:40:42
GGA+U 计算Ga2O3的带隙变化确实不很大,我们计算时候用的杂化泛函方法,可以计算和实验值很接近
5楼2016-06-25 16:44:08
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