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hfut1879

至尊木虫 (文坛精英)

[交流] 【求助】半导体掺杂问题

请教虫友中的高手一个半导体掺杂的问题,在n型半导体材料SnS2中掺杂Cu2+能增加载流子(电子)密度吗?
我自己觉得不可以,但是我的导师说可以,现在很矛盾啊!!
谢谢回复!!
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tan-tt

木虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
掺杂量是多少呀?用XRD来判断?

就算是知道Cu是间隙原子或者是替换原子,也不好判断它引入的缺陷能级的位置,跟电离状态也有关系。

掺杂确实是一个复杂的问题,一个是看文献,一个是根据第一性原理计算(有效质量模型?)引入缺陷能级的位置。更合适的应该是做实验,确认一下。
14楼2009-07-28 09:29:22
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wyraul

银虫 (正式写手)


wuli8(金币+1,VIP+0):3q!鼓励新虫!(*^__^*) ……
给出你认为不可以的理由先
2楼2008-11-05 18:32:46
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hfut1879

至尊木虫 (文坛精英)

Sn 是四价,Cu是二价,掺杂之后Cu取代了Sn的晶格位置之后形成的应该是负电中心,负电中心吸附空穴,这样就形成了p型的半导体了啊!所以我认为掺杂Cu之后不能增加载流子(电子)的密度。
3楼2008-11-05 20:10:27
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hfut1879

至尊木虫 (文坛精英)

请教高手啊,我这样的理解不知道对不对啊?
4楼2008-11-05 20:11:18
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