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hfut1879

至尊木虫 (文坛精英)

[交流] 【求助】半导体掺杂问题

请教虫友中的高手一个半导体掺杂的问题,在n型半导体材料SnS2中掺杂Cu2+能增加载流子(电子)密度吗?
我自己觉得不可以,但是我的导师说可以,现在很矛盾啊!!
谢谢回复!!
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hfut1879

至尊木虫 (文坛精英)

请教高手啊,我这样的理解不知道对不对啊?
4楼2008-11-05 20:11:18
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wyraul

银虫 (正式写手)


wuli8(金币+1,VIP+0):3q!鼓励新虫!(*^__^*) ……
给出你认为不可以的理由先
2楼2008-11-05 18:32:46
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hfut1879

至尊木虫 (文坛精英)

Sn 是四价,Cu是二价,掺杂之后Cu取代了Sn的晶格位置之后形成的应该是负电中心,负电中心吸附空穴,这样就形成了p型的半导体了啊!所以我认为掺杂Cu之后不能增加载流子(电子)的密度。
3楼2008-11-05 20:10:27
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hnzzuman

金虫 (正式写手)


wuli8(金币+1,VIP+0):3q!(*^__^*)
引用回帖:
Originally posted by hfut1879 at 2008-11-5 20:10:
Sn 是四价,Cu是二价,掺杂之后Cu取代了Sn的晶格位置之后形成的应该是负电中心,负电中心吸附空穴,这样就形成了p型的半导体了啊!所以我认为掺杂Cu之后不能增加载流子(电子)的密度。

你知道他们是一对一的替代吗?
我觉得这要从能带理论去考虑,杂质能级到底在哪,到底是负电中心还是正电中心。
Si中掺硼,硼处于替代位置,杂质能级处于价带上部,价带中跃迁出一个电子给B,此时B是负电中心,价带中留下一个空穴hole。B是受主状态。

呵呵
概当以慷,忧思难忘。何以解忧?唯有杜康。
5楼2008-11-05 20:59:28
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