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关于循环伏安法求比电容的公式 已有1人参与
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请问这篇文章中为什么用循环伏安法求比电容需要除以2啊？一直没有看懂。。。 另外，anodic charge 和cathodic charge是代表的什么啊？有人能帮我阐释一下么？我以为是充放电过程中的电流关于电压的积分值，但这样的话为什么是用anodic charge加上cathodic charge的绝对值来求比电容啊？？？？ 非常感谢！  1.jpg |
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2016-06-10 20:35:38, 1.19 M
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olea
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一些文献不除以2显然数值虚高，但不靠谱。CV能表现出电极上发生的反应，但一般的性能数据还是用充放电计算更可靠一点。不同扫速、电流密度不需要取舍，你看文献都是全部数据作在图里做对比的。文献里面计算其实没几个公式，建议多找找相关高档次的文献，都会提到的。 发自小木虫Android客户端 |
4楼2016-06-12 22:39:42
olea
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【答案】应助回帖
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KG地爸爸: 金币+8, ★★★很有帮助 2016-06-13 05:09:34
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louderbe: 金币+1 2016-06-16 15:45:00
CV的两段可以理解为对电极的一个充放电过程，对CV面积积分然后除以2的方法，是认为材料是个比较理想的电容器，可逆性好，这种情况下而且充放电过程可在CV图里面表现出很好的对称性。那么问题来了 ，你用充放电计算比电容难道不是只算放电吗，总不会充放电都加一起吧，所以要除以2。当然对于一些电容性不好的，特别是一些CV图里面氧化还原非常不对称的材料，用CV图计算比电容是很不准确的。 |
2楼2016-06-12 09:52:29
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谢谢你的回复，明白了。现在好多文献中是直接用下图的公式计算，就是用CV图的面积部分计算，就不存在除以2的问题，这样是不是准确一点？ 另外也有用恒电流充放电中的放电部分计算的：C=t*I/m*Vmax，这个相对于CV计算哪个好一点呢？？ 不过不同扫描速度（CV中），或者不同放电电流下（GSD中）计算出的比电容又不一样  具体分析是一般如何取舍呢？最后还涉及求能量密度和功率密度的问题，E=(1/2)*Cs*Vmas/3.6,这里的Cs是用CV求的比电容还是GCD求的比电容啊？？我看文献大多用的后者，不过CV不是也能得到比电容么？？ 刚开始这个方向，有很多不懂，还请前辈指导，感觉这方面的计算没有一个固定的值，不同文献中的参数一直也在变化。。。。  11.jpg |
3楼2016-06-12 22:21:20
5楼2016-06-13 05:11:52
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