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skywalkersn金虫 (初入文坛)
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[求助]
能带计算和态密度不符合 已有3人参与
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各位好！！求助一个问题： 对于一个吸附结构，我在充分弛豫和静态计算后，进行了态密度和能带结构的计算，经过收敛性测试，k点也选的足够。 接着出现了一个问题： 我画出了DOS图和bandstructure图，其中，能带图中带隙不为零，显示为半导体；而态密度图中费米能级处有电子态出现，显示为导体，这种不匹配的情况该怎么解释？ 另外，我将态密度计算中的vaspxml文件导入p4vasp中，画出的态密度图和能带结构图也存在上述问题，明明是同一个文件，做出来的图为什么不匹配？。。这说明并不是能带计算或者态密度计算错误引起的问题，这种情况该怎么解释？求助各位有经验的大神指点一二！ |
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那就有可能是楼上说的展宽的问题，可能DOS被展宽之后显示越过Ef，sigma设置小点看看。 你算吸附体系的能带，应该看成是接触效应，不可能是独立的p或者独立的n。另外，有些电荷转移比较强的体系，bader电荷非常惨，键临界点会跑到某个原子核很近的地方，这意味着zero-flux surface的划分不尽然合理（http://sobereva.com/161），而bader电荷正是对zero-flux surface围成的basin进行积分得到的。 |
17楼2016-06-20 17:09:48
未岸亡灵
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2楼2016-05-30 15:47:19
skywalkersn
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3楼2016-06-12 23:27:58
未岸亡灵
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4楼2016-06-13 10:32:04